芯片高溫老化壽命試驗（HTOL）
高溫老化壽命試驗(HTOL)
參考標準：JESD22-A108；
測試條件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業(yè)技術服務，在計量校準、可靠性與環(huán)境試驗、元器件篩選與失效分析檢測、車規(guī)元器件認證測試、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業(yè)務規(guī)模處于國內*水平。
GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
閂鎖測試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光學檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)；
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。
GRGT團隊技術能力：
集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控
集成電路競品分析、工藝分析
芯片級失效分析方案turnkey
芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設計
靜電防護失效整改技術建議
集成電路可靠性驗證
材料分析技術支持與方案制定
半導體材料分析手法
芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。
芯片高溫老化壽命試驗：
GRGT張經(jīng)理186-2090+8348；
zhanghp grgtest.com